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          • PF-300T
          • PF-200T
          • 12英寸PECVD設備PF-300T
            產品介紹:
            PF-300T 是國家十一五重大專項所支持,由我公司自主研發的 12英寸 PECVD 設備,擁有 100%知識產權。其用于 40-28納米集成電路的生產,具有 14-5納米技術的延伸性。設備成本(CoO)及性能指標達到優異水平。設備已在多家國內及臺灣企業的大規模集成電路及先進封裝生產線(TSV)實施量產,充分展現國產半導體設備的實力與成果。PF-300T 是國家十一五重大專項所支持,由我公司自主研發的 12英寸 PECVD 設備,擁有自主知識產權。其用于 40-28納米集成電路的生產,具有 14-5納米技術的延伸性。設備生產成本(CoO)及性能指標達到優異水平。設備已在多家國內及臺灣企業的大規模集成電路及先進封裝生產線(TSV)實施量產,充分展現國產半導體設備的實力與成果。PF-300T 是國家十一五重大專項所支持,由我公司自主研發的 12英寸 PECVD 設備,擁有自主知識產權。其用于 40-28納米集成電路的生產,具有 14-5納米技術的延伸性。設備生產成本(CoO)及性能指標達到優異水平。設備已在多家國內及臺灣企業的大規模集成電路及先進封裝生產線(TSV)實施量產,充分展現國產半導體設備的實力與成果。
            產品特點:
            - 國際水平的性能指標
            - 量產驗證的SiO2,SiN,SiON及TEOS SiO2標準工藝
            - 可依客戶選擇配置1-3路液態源,實現多種先進工藝
            - 具備TSV所需的低溫(<200℃)TEOS SiO2工藝
            - 可與8英寸兼容互相切換
            - 具有優異的產能和CoO
            - 通過S2安全認證和F47標準檢驗
          • 8英寸PECVD設備PF-200T
            產品介紹:
            PF-200T 是由我公司基于 PF 系列平臺,自主研發的 8 英寸 PECVD 設備,硬件結構以及系統穩定性和 PF-300T 保持一致,并已在國內各大企業經過嚴格的量產驗證。PF-200T 和國際同類型二手設備相比,具有產能高,維護費用低的優勢,還可為客戶提供完善的售后及工藝開發等服務。并可升級到 12英寸,或實現 8/12 英寸相互切換。設備另具有低溫 TEOS 的 SiOPF-200T 是由我公司基于 PF 系列平臺,自主研發的 8 英寸 PECVD 設備,硬件結構以及系統穩定性和 PF-300T 保持一致,并已在國內各大企業經過嚴格的量產驗證。PF-200T 和國際同類型二手設備相比,具有產能高,維護費用低的優勢,還可為客戶提供完善的售后及工藝開發等服務。并可升級到 12英寸,或實現 8/12 英寸相互切換。設備另具有低溫 TEOS 的 SiO2 工藝,適用于三維集成電路生產(3D IC)中的 TSV 工藝。 工藝,適用于三維集成電路生產(3D IC)中的 TSV 工藝。
            產品特點:
            - 按行業新標準,全新設計制造
            - 采用行業現有標準零部件,降低維護成本
            - 具有優異的產能和CoO
            - 可搭載 1-3 個 PM
            - 成熟的 SiO2,SiN,SiON 及 TEOS SiO2 標準工藝
            - 可配置 1-3 路液態源,實現摻雜工藝
            - 具備 TSV 所需的低溫(<200℃)TEOS SiO2 工藝
            - 通過 S2 安全認證和 F47 標準檢驗


          • 12英寸ALD設備FT-300T
            產品介紹:
            FT-300T 系列是我公司自主研發的原子層沉積(Atomic Layer Deposition)設備,反應腔搭載在已通過生產驗證的高產能 PECVD 平臺上,充分實現 ALD 設備對產能的需求?,F已應用于超大規模集成電路,OLED 及先進封裝(TSV)領域。ALD 技術一次沉積一層原子層薄膜,并針對 14nm 以下 FEOL 前道工藝進行合作開發。能有效覆蓋及填充高深寬比的孔洞?,F可提供具有高質量的 SiOFT-300T 系列是我公司自主研發的原子層沉積(Atomic Layer Deposition)設備,反應腔搭載在已通過生產驗證的高產能 PECVD 平臺上,充分實現 ALD 設備對產能的需求?,F已應用于超大規模集成電路,OLED 及先進封裝(TSV)領域。ALD 技術一次沉積一層原子層薄膜,并針對 14nm 以下 FEOL 前道工藝進行合作開發。能有效覆蓋及填充高深寬比的孔洞?,F可提供具有高質量的 SiO2,SiN,Al2O3 薄膜,陸續拓展金屬氧化物及金屬氮化物等薄膜的應用。
            產品特點:
            - 優異的生產成本(CoO)及性能指標
            - 可搭載1-3個PM
            - 具有優異的均勻性和優異的保形性
            - 可配置Plasma Enhanced ALD及Thermal ALD
            - ALD薄膜在高寬比(20:1)情況下臺階覆蓋率可達到95%
            - 通過S2安全認證和F47標準檢驗
            薄膜,陸續拓展金屬氧化物及金屬氮化物等薄膜的應用。

          • 12英寸3D-NAND PECVD設備NF-300H
            產品介紹:
            NF-300H 設備由拓荊科技承擔了國家十三五重大專項,自主研發,是國產首臺應用于新一代三維閃存芯片(3D NAND)生產線上的等離子體化學氣相薄膜沉積設備,擁有 100% 自主知識產權。目前可實現超過 128 對的 SiONF-300H 設備由拓荊科技承擔了國家十三五重大專項,自主研發,是國產首臺應用于新一代三維閃存芯片(3D NAND)生產線上的等離子體化學氣相薄膜沉積設備,擁有 自主知識產權。目前可實現超過 128 對的 SiO2、SiN(ONON)多層薄膜堆疊結構,在顆粒度、粗糙度、應力及產能四大關鍵方面實現突破,設備性能指標達到同類產品國際先進水平,具備產業化能力及市場競爭力。、SiN(ONON)多層薄膜堆疊結構,在顆粒度、粗糙度、應力及產能四大關鍵方面實現突破,設備性能指標達到同類產品國際先進水平,具備產業化能力及市場競爭力。
            產品特點:
            - 優異的生產成本(CoO)及性能指標
            - 可搭載1-3個PM
            - 穩定的薄膜性能指標及工藝表現
            - 不同種類薄膜沉積的快速切換,高產能化
            - 能夠滿足300-600℃的高溫沉積的要求
            - 多層噴淋頭結構設計,快速氣相切換
            - 通過S2安全認證和F47標準檢驗

          • 技術服務及零部件
            客戶技術支持:
            客戶技術支持:
            - 在機臺設備保質期內,本公司將對非人為造成的軟、硬件上的問題為客戶提供及時的維修,以保證客戶工廠生產的正常進行。
            - 本公司在機臺設備保質期內提供給客戶充分的備用件,保質期后,客戶可以購買方式取得備用部件的補充。
            -依客戶所提需求,本公司的工程師保證于24小時內到達客戶現場給予支援。

          • 12英寸單腔PECVD設備

            產品介紹:?

            SC-300以12寸PECVD設備架構為基礎,專為LED生產線、高校、研究所及企業研發機構所設計研發,可做2-12英寸的工藝,可選TEOS等液態源配置,適用于半導體、MEMS、光伏,封裝等行業

          PF-300T

          產品介紹:
          產品介紹:
          PF-300T 是國家十一五重大專項所支持,由我公司自主研發的 12英寸 PECVD 設備,擁有 100%知識產權。其用于 40-28納米集成電路的生產,具有 14-5納米技術的延伸性。設備成本(CoO)及性能指標達到優異水平。設備已在多家國內及臺灣企業的大規模集成電路及先進封裝生產線(TSV)實施量產,充分展現國產半導體設備的實力與成果。PF-300T 是國家十一五重大專項所支持,由我公司自主研發的 12英寸 PECVD 設備,擁有自主知識產權。其用于 40-28納米集成電路的生產,具有 14-5納米技術的延伸性。設備生產成本(CoO)及性能指標達到優異水平。設備已在多家國內及臺灣企業的大規模集成電路及先進封裝生產線(TSV)實施量產,充分展現國產半導體設備的實力與成果。PF-300T 是國家十一五重大專項所支持,由我公司自主研發的 12英寸 PECVD 設備,擁有自主知識產權。其用于 40-28納米集成電路的生產,具有 14-5納米技術的延伸性。設備生產成本(CoO)及性能指標達到優異水平。設備已在多家國內及臺灣企業的大規模集成電路及先進封裝生產線(TSV)實施量產,充分展現國產半導體設備的實力與成果。
          產品特點:
          - 國際水平的性能指標
          - 量產驗證的SiO2,SiN,SiON及TEOS SiO2標準工藝
          - 可依客戶選擇配置1-3路液態源,實現多種先進工藝
          - 具備TSV所需的低溫(<200℃)TEOS SiO2工藝
          - 可與8英寸兼容互相切換
          - 具有優異的產能和CoO
          - 通過S2安全認證和F47標準檢驗

          PF-200T

          產品介紹:
          產品介紹:
          PF-200T 是由我公司基于 PF 系列平臺,自主研發的 8 英寸 PECVD 設備,硬件結構以及系統穩定性和 PF-300T 保持一致,并已在國內各大企業經過嚴格的量產驗證。PF-200T 和國際同類型二手設備相比,具有產能高,維護費用低的優勢,還可為客戶提供完善的售后及工藝開發等服務。并可升級到 12英寸,或實現 8/12 英寸相互切換。設備另具有低溫 TEOS 的 SiOPF-200T 是由我公司基于 PF 系列平臺,自主研發的 8 英寸 PECVD 設備,硬件結構以及系統穩定性和 PF-300T 保持一致,并已在國內各大企業經過嚴格的量產驗證。PF-200T 和國際同類型二手設備相比,具有產能高,維護費用低的優勢,還可為客戶提供完善的售后及工藝開發等服務。并可升級到 12英寸,或實現 8/12 英寸相互切換。設備另具有低溫 TEOS 的 SiO2 工藝,適用于三維集成電路生產(3D IC)中的 TSV 工藝。 工藝,適用于三維集成電路生產(3D IC)中的 TSV 工藝。
          產品特點:
          - 按行業新標準,全新設計制造
          - 采用行業現有標準零部件,降低維護成本
          - 具有優異的產能和CoO
          - 可搭載 1-3 個 PM
          - 成熟的 SiO2,SiN,SiON 及 TEOS SiO2 標準工藝
          - 可配置 1-3 路液態源,實現摻雜工藝
          - 具備 TSV 所需的低溫(<200℃)TEOS SiO2 工藝
          - 通過 S2 安全認證和 F47 標準檢驗


          FT-300T

          產品介紹:
          產品介紹:
          FT-300T 系列是我公司自主研發的原子層沉積(Atomic Layer Deposition)設備,反應腔搭載在已通過生產驗證的高產能 PECVD 平臺上,充分實現 ALD 設備對產能的需求?,F已應用于超大規模集成電路,OLED 及先進封裝(TSV)領域。ALD 技術一次沉積一層原子層薄膜,并針對 14nm 以下 FEOL 前道工藝進行合作開發。能有效覆蓋及填充高深寬比的孔洞?,F可提供具有高質量的 SiOFT-300T 系列是我公司自主研發的原子層沉積(Atomic Layer Deposition)設備,反應腔搭載在已通過生產驗證的高產能 PECVD 平臺上,充分實現 ALD 設備對產能的需求?,F已應用于超大規模集成電路,OLED 及先進封裝(TSV)領域。ALD 技術一次沉積一層原子層薄膜,并針對 14nm 以下 FEOL 前道工藝進行合作開發。能有效覆蓋及填充高深寬比的孔洞?,F可提供具有高質量的 SiO2,SiN,Al2O3 薄膜,陸續拓展金屬氧化物及金屬氮化物等薄膜的應用。
          產品特點:
          - 優異的生產成本(CoO)及性能指標
          - 可搭載1-3個PM
          - 具有優異的均勻性和優異的保形性
          - 可配置Plasma Enhanced ALD及Thermal ALD
          - ALD薄膜在高寬比(20:1)情況下臺階覆蓋率可達到95%
          - 通過S2安全認證和F47標準檢驗
          薄膜,陸續拓展金屬氧化物及金屬氮化物等薄膜的應用。

          NF-300H

          產品介紹:
          產品介紹:
          NF-300H 設備由拓荊科技承擔了國家十三五重大專項,自主研發,是國產首臺應用于新一代三維閃存芯片(3D NAND)生產線上的等離子體化學氣相薄膜沉積設備,擁有 100% 自主知識產權。目前可實現超過 128 對的 SiONF-300H 設備由拓荊科技承擔了國家十三五重大專項,自主研發,是國產首臺應用于新一代三維閃存芯片(3D NAND)生產線上的等離子體化學氣相薄膜沉積設備,擁有 自主知識產權。目前可實現超過 128 對的 SiO2、SiN(ONON)多層薄膜堆疊結構,在顆粒度、粗糙度、應力及產能四大關鍵方面實現突破,設備性能指標達到同類產品國際先進水平,具備產業化能力及市場競爭力。、SiN(ONON)多層薄膜堆疊結構,在顆粒度、粗糙度、應力及產能四大關鍵方面實現突破,設備性能指標達到同類產品國際先進水平,具備產業化能力及市場競爭力。
          產品特點:
          - 優異的生產成本(CoO)及性能指標
          - 可搭載1-3個PM
          - 穩定的薄膜性能指標及工藝表現
          - 不同種類薄膜沉積的快速切換,高產能化
          - 能夠滿足300-600℃的高溫沉積的要求
          - 多層噴淋頭結構設計,快速氣相切換
          - 通過S2安全認證和F47標準檢驗

          技術服務及零部件

          產品介紹:
          客戶技術支持:
          客戶技術支持:
          - 在機臺設備保質期內,本公司將對非人為造成的軟、硬件上的問題為客戶提供及時的維修,以保證客戶工廠生產的正常進行。
          - 本公司在機臺設備保質期內提供給客戶充分的備用件,保質期后,客戶可以購買方式取得備用部件的補充。
          -依客戶所提需求,本公司的工程師保證于24小時內到達客戶現場給予支援。

          SC-300

          產品介紹:

          產品介紹:?

          SC-300以12寸PECVD設備架構為基礎,專為LED生產線、高校、研究所及企業研發機構所設計研發,可做2-12英寸的工藝,可選TEOS等液態源配置,適用于半導體、MEMS、光伏,封裝等行業

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          技術支持:優諾科技

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